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特恩志氧化铝、氧化锆、碳化硅、钛酸铝高温特种工业结构陶瓷的介质损耗
特恩志氧化铝、氧化锆、碳化硅、钛酸铝高温特种工业结构陶瓷材料的介质损耗是指陶瓷介质在电导和极化过程中都有能量消耗，不可避免地将一部分电能转变为热能。在这个过程中，单位时间所消耗的电能称之为介质损耗。在直流电场作用下，陶瓷介质的介质损耗仅仅由电导过程引起，也就是说陶瓷介质的介质损耗取决于材料的电导率和电场强度由下式表示:
p=ơE2
即当电场强度一定时，陶瓷材料的介质损耗与该材料的电导率成正比。在交流电场作用下，陶瓷材料的介质损耗由电导和极化共同引起，实际的陶瓷电容器可等效为一个理想电容器和一个纯电阻相并联或串联组成。
特恩志氧化铝、氧化锆、碳化硅、钛酸铝高温特种工业结构陶瓷材料介质损耗与频率有关。εtgδ称损耗因数，在外界条件一定时，它是介质本身的特定参数。式中ωεtgδ称等效电导率，它不是常数。频率高时，乘积增大，介质损耗增大，因此，工作在高频高功率下的介质，要求损耗小，必须控制tgδ很小才行。一般高频介质应小于6×10-4，高频高功率介质应小于3×10-4，可见生产上控制tgδ是很重要的。介质的tgδ对湿度很敏感。受潮试样的tgδ急剧增大。试样吸潮越严重，tgδ增大越厉害，因此工艺上利用此性质判断生产线上瓷体烧结的好坏。介质损耗对化学组成、相组成、结构等因素都很敏感，凡是影响电导和极化的因素都对高温特种工业结构陶瓷材料的介质损耗有影响。
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介质损耗
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氧化铝陶瓷 (A2O3含量为 95%)
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4×10－4
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氧化铝陶瓷 (A2O3含量为99%)
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4×10－5
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氧化铝陶瓷 (A2O3含量为99.5%)
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4×10－5
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普通电器陶瓷 (SiO2·A2O3)
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4×10－3
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莫来石陶瓷 (2SiO2·3 A2O3)
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4×10－4
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滑石陶瓷 (MgO·SiO2)
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4×10－4
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堇青石陶瓷 (2MgO·2A2O3·5SiO2)
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4×10－3
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氧化锆陶瓷 (ZrO2)
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碳化硅陶瓷 (SiC)
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钛酸铝陶瓷 (Al2TiO5)
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【特恩志16年专注于氧化铝、氧化锆等特种工业结构陶瓷的制造、研发。
特恩志主要采用干压、等静压、热压等成型方式，1600-1700℃高温烧结工艺，专业制造特种工业陶瓷制品。
1、氧化铝陶瓷：三氧化二铝陶瓷、氧化铝陶瓷产品、氧化铝陶瓷件、氧化铝特种陶瓷、特种刚玉陶瓷、耐高温结构陶瓷件、特种陶瓷制品、红色氧化铝陶瓷、结构陶瓷、先进氧化铝陶瓷、高纯氧化铝陶瓷、耐酸工业陶瓷、氧化铝异形件、氧化铝耐高温材料、高韧性陶瓷、高性能工程陶瓷；
2、氧化锆陶瓷：氧化锆陶瓷、氧化锆陶瓷管、氧化锆陶瓷板、氧化锆陶瓷棒、氧化锆陶瓷柱塞、氧化锆陶瓷轴套、氧化锆陶瓷片；
3、支持特种工业结构陶瓷（钛酸铝、铬酸镧、碳化硅）特殊性能的研发和定制；
4、特种工业结构陶瓷制品（陶瓷板、陶瓷管、陶瓷片、陶瓷环、陶瓷棒、陶瓷块、陶瓷零配件、陶瓷密封件、陶瓷柱塞轴套等）的深度加工（内外圆和平面精磨抛光、开槽、打孔、螺纹、精雕等，产品尺寸公差控制可达±0.01，光洁度可至0.2）。】
无锡市特恩志新材料有限公司
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